Samsung chế tạo bộ nhớ dung lượng 8GB

12/12/2005 16:33 GMT+7

Hãng điện tử Samsung Hàn Quốc vừa giới thiệu bộ nhớ cao cấp mới dung lượng tới 8GB. Samsung đã tăng mật độ bộ nhớ R-DIMM thành bộ nhớ FB-DIMM sử dụng các vi xử lý DDR 2GB công nghệ 80 nanomet tốc độ cao. Đây là một bước tiến trong kiến trúc bộ nhớ máy chủ.

Các nhà sản xuất có thể sử dụng bộ nhớ mật độ cao giúp tăng số lượng bộ nhớ lắp đặt và dành ra các khe cắm cho việc nâng cấp sau này. Bộ nhớ mới của Samsung dung lượng 8GB phù hợp cho việc ứng dụng trong máy chủ liên kết (blade) và máy chủ mỏng gắn trong tủ mạng.
 
Kiến trúc FB-DIMM đã vượt qua sự giới hạn trước đây chỉ có từ hai tới bốn module cho mỗi kênh thông tin. Hệ thống FB-DIMM sử dụng vi xử lý DRAM có thể tăng lên tám module mà không làm giảm tốc độ. Hệ thống mới cũng có thể xử lý tăng thêm lượng dữ liệu nhờ  kết nối chip bộ nhớ đệm AMB với mỗi module trong hệ thống từ điểm tới điểm (point to point), hy vọng sẽ làm tăng nhu cầu thị trường cho bộ nhớ DRAM mật độ cao.
 
Với các module bộ nhớ mật độ cao của Samsung, các nhà thiết kế có thể tận dụng lợi thế bộ nhớ tăng thêm trong hệ điều hành máy chủ mới để tăng tối đa hiệu suất. Ngoài ra, Samsung cũng cung cấp các giải pháp bộ nhớ thế hệ mới 8GB FB-DIMM cho phép các máy chủ đạt được mật độ bộ nhớ và băng thông cao nhất.

Quá trình phát triển bộ nhớ DRAM của Samsung từ DDR sang DDR2, và R-DIMM sang FB-DIMM có mật độ từ 512MB lên tới 8GB.
 
Hãng nghiên cứu thị trường Dataquest dự báo thị trường bộ nhớ DRAM cho máy chủ trên toàn thế giới sẽ đạt 34,1 tỷ MB trong năm 2006.

Theo Nhân Dân

Top

Bạn không thể gửi bình luận liên tục. Xin hãy đợi
60 giây nữa.